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MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
Nov. 2007
?
Initial Release of Data Sheet
1
Nov. 2007
?
Updated Fig. 12, MTTF versus Junction Temperature, to reflect a 32.3% typical efficiency rating, p. 8
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